ISZ065N03L5SATMA1
מספר מוצר של יצרן:

ISZ065N03L5SATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

ISZ065N03L5SATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

מלאי:

36538 יחידות חדשות מק originales במלאי
12938390
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

ISZ065N03L5SATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
670 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSDSON-8-FL
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
ISZ065

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-ISZ065N03L5SATMA1TR
448-ISZ065N03L5SATMA1DKR
448-ISZ065N03L5SATMA1CT
2156-ISZ065N03L5SATMA1TR
SP005408599
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FCB125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A TO263

renesas-electronics-america

2SK3900-ZP-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

renesas-electronics-america

RJL5012DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

NTBG160N120SC1

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK