מספר מוצר של יצרן:
ISC0806NLSATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
ISC0806NLSATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 97A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
מלאי:
4880 יחידות חדשות מק originales במלאי
12965943
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ISC0806NLSATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Ta), 97A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 61µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3400 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-7
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
ISC0806N
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-ISC0806NLSATMA1CT
448-ISC0806NLSATMA1DKR
SP005430384
448-ISC0806NLSATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ISC0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
NTMFS005P03P8ZT1G
MOSFET P-CH
SIHU7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
