ISC073N12LM6ATMA1
מספר מוצר של יצרן:

ISC073N12LM6ATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

ISC073N12LM6ATMA1-DG

תיאור:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 86A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

מלאי:

4071 יחידות חדשות מק originales במלאי
13002850
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

ISC073N12LM6ATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13.4A (Ta), 86A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2600 pF @ 60 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
ISC073

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-ISC073N12LM6ATMA1TR
448-ISC073N12LM6ATMA1DKR
448-ISC073N12LM6ATMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
goford-semiconductor

G160P03KI

P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-

diodes

DMP2037UFCL-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6

goford-semiconductor

G220P02D2

P-20V,-8A,RD(MAX)<[email protected],VTH-