מספר מוצר של יצרן:
ISC0703NLSATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
ISC0703NLSATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
מלאי:
19253 יחידות חדשות מק originales במלאי
12965581
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ISC0703NLSATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Ta), 57A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.9mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 15µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1400 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 44W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
ISC0703N
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-ISC0703NLSATMA1TR
SP005417423
448-ISC0703NLSATMA1DKR
448-ISC0703NLSATMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM260P02CX RFG
-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
SI5406CDC-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
