בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
ISC060N10NM6ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
ISC060N10NM6ATMA1-DG
תיאור:
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 15A (Ta), 97A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
מלאי:
10622 יחידות חדשות מק originales במלאי
12973318
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ISC060N10NM6ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15A (Ta), 97A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2500 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8 FL
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
ISC060N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
ISC060N10NM6
גיליונות נתונים
ISC060N10NM6ATMA1
גיליון נתונים של HTML
ISC060N10NM6ATMA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
448-ISC060N10NM6ATMA1DKR
448-ISC060N10NM6ATMA1CT
SP005427068
448-ISC060N10NM6ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MSC70SM120JCU2
SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227
SQ4050EY-T1_BE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
PJA3440_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJD80N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M