ISC045N03L5SATMA1

מספר מוצר של יצרן:

ISC045N03L5SATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

ISC045N03L5SATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

מלאי:

11764 יחידות חדשות מק originales במלאי

12938411

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

ISC045N03L5SATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

OptiMOS™

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

18A (Ta), 63A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

13 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

870 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

PG-TDSON-8-6

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

ISC045

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

ISC045N03L5SATMA1

גיליון נתונים של HTML

ISC045N03L5SATMA1-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

448-ISC045N03L5SATMA1DKR

448-ISC045N03L5SATMA1CT

448-ISC045N03L5SATMA1TR

SP005408605

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

alpha-and-omega-semiconductor

AOT095A60L

MOSFET N-CH 600V 38A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AOT380A60CL

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

infineon-technologies

ISC037N03L5ISATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF095A60L

MOSFET N-CH 600V 38A TO220F