ISC022N10NM6ATMA1
מספר מוצר של יצרן:

ISC022N10NM6ATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

ISC022N10NM6ATMA1-DG

תיאור:

TRENCH >=100V PG-TSON-8
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3

מלאי:

7305 יחידות חדשות מק originales במלאי
12968220
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

ISC022N10NM6ATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Ta), 230A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.24mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 147µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
91 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6880 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 254W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSON-8-3
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
ISC022N

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP005339558
448-ISC022N10NM6ATMA1CT
448-ISC022N10NM6ATMA1DKR
448-ISC022N10NM6ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPB320P10LMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO263-3

infineon-technologies

ISP14EP15LMXTSA1

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4

infineon-technologies

IST011N06NM5AUMA1

TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5

onsemi

NTH4L022N120M3S

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V