מספר מוצר של יצרן:
ISC019N03L5SATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
ISC019N03L5SATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
מלאי:
26049 יחידות חדשות מק originales במלאי
12970144
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ISC019N03L5SATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2800 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-5
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
ISC019
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005408617
448-ISC019N03L5SATMA1TR
448-ISC019N03L5SATMA1DKR
448-ISC019N03L5SATMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJD80N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD11N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PMH850UPEH
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
