מספר מוצר של יצרן:
IRLZ34NPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLZ34NPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
30318 יחידות חדשות מק originales במלאי
12807186
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLZ34NPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
880 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRLZ34
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001553290
2156-IRLZ34NPBF
*IRLZ34NPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFH8201TRPBF
MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
TP2540N3-G-P002
MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
IRF3711ZS
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
