IRLU3714ZPBF

מספר מוצר של יצרן:

IRLU3714ZPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRLU3714ZPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK

תיאור מפורט:

N-Channel 20 V 37A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12815743

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRLU3714ZPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

37A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

15mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.55V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

7.1 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

560 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

35W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

IPAK

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRLU3714ZPBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRLU3714ZPBF

SP001553004

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

microchip-technology

DN3135N8-G

MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA

infineon-technologies

IPD60R950C6

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3

texas-instruments

CSD16401Q5

MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON

infineon-technologies

IRFM460

MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA