מספר מוצר של יצרן:
IRLI530NPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLI530NPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
מלאי:
12806376
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLI530NPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB Full-Pak
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRLI530NPBF
IFEINFIRLI530NPBF
*IRLI530NPBF
SP001573830
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRLI530GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
795
DiGi מספר חלק
IRLI530GPBF-DG
מחיר ליחידה
0.72
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPA06N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
IRF7665S2TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
SPP80N06S2-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
