מספר מוצר של יצרן:
IRL7833PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRL7833PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
518 יחידות חדשות מק originales במלאי
12807144
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRL7833PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
150A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.8mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4170 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
140W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRL7833
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIRL7833PBF
*IRL7833PBF
2156-IRL7833PBF
SP001550382
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD90N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
SPB16N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3
IRFH5302DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
