מספר מוצר של יצרן:
IRFZ46NLPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFZ46NLPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 53A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
12803671
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFZ46NLPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
53A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1696 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRFZ46
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFZ46NLPBF
*IRFZ46NLPBF
SP001557896
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPL60R255P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
IRF3709PBF
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
IRF7402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO