מספר מוצר של יצרן:
IRFSL7730PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFSL7730PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
12818246
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFSL7730PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®, StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
195A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
407 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13660 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRFSL7730
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIRFSL7730PBF
SP001557668
2156-IRFSL7730PBFINF
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EPC2030
GANFET NCH 40V 31A DIE
IRFR024NTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IPN60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
