מספר מוצר של יצרן:
IRFSL7530PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFSL7530PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-262
מלאי:
12805266
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFSL7530PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®, StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
195A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
411 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13703 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRFSL7530
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001565198
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPI024N06N3GXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPI024N06N3GXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
PSMN2R0-60ES,127
יצרן
NXP Semiconductors
כמות זמינה
7334
DiGi מספר חלק
PSMN2R0-60ES,127-DG
מחיר ליחידה
1.30
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD40DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
IRLR8113TR
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
IRFH8337TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN