IRFSL4321PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRFSL4321PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFSL4321PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 150V 85A TO262

תיאור מפורט:

N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-262

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12809016

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRFSL4321PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

150 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

85A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

15mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

110 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4460 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

350W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-262

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRFSL4321PBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SP001550194

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRLR3105TRLPBF

MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

microchip-technology

TP2540N3-G

MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3

microchip-technology

TP5322K1-G

MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB

microchip-technology

TN0104N8-G

MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA