מספר מוצר של יצרן:
IRFSL4229PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFSL4229PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
12805048
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFSL4229PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4560 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
330W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001567750
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF9328TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
IRF9Z24NLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO262
IRF9317TRPBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
