מספר מוצר של יצרן:
IRFSL4127PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFSL4127PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 72A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
1919 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803397
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFSL4127PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
72A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
22mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
150 nC @ 10 V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5380 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRFSL4127
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IRFSL4127PBF
SP001557538
IRFSL4127PBF-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
IPD60R2K0C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
BSC080P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8