מספר מוצר של יצרן:
IRFS31N20DTRRP
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFS31N20DTRRP-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12805865
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFS31N20DTRRP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
82mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
107 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2370 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001552276
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLZ44ZPBF
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
IRF6711STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
IRLR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
