IRFP4229PBFXKMA1
מספר מוצר של יצרן:

IRFP4229PBFXKMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFP4229PBFXKMA1-DG

תיאור:

TRENCH >=100V
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 44A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC

מלאי:

13269202
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRFP4229PBFXKMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
44A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4560 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
310W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
-
ההסמכה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IRFP4229PBFXKMA1
SP005732690
חבילה סטנדרטית
400

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPP023N08N5XKSA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IRFP3006PBFXKMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IMZA75R140M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET