מספר מוצר של יצרן:
IRFP3306PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFP3306PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
970 יחידות חדשות מק originales במלאי
12802754
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFP3306PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4520 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
220W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IRFP3306
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFP3306PBF
SP001564200
IFEINFIRFP3306PBF
AUXYBFP3306-DG
AUXYBFP3306
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP055N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
IPA60R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
IPD60R385CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
