מספר מוצר של יצרן:
IRFP2907PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFP2907PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 209A (Tc) 470W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
2867 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804371
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFP2907PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
209A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 125A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
620 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
470W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IRFP2907
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFP2907PBF
*IRFP2907PBF
INFINFIRFP2907PBF
SP001571058
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR3504PBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IPI50R140CPXKSA1
HIGH POWER_LEGACY
IPI25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
