מספר מוצר של יצרן:
IRFHS8342TR2PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFHS8342TR2PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-6
מלאי:
12806715
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFHS8342TR2PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.35V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.7 nC @ 10 V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSDSON-6
חבילה / מארז
6-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRFHS8342TR2PBFCT
IRFHS8342TR2PBFDKR
IRFHS8342TR2PBFTR
SP001575842
חבילה סטנדרטית
400
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7807TR
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRLR3636PBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
IRLI3803PBF
MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
