מספר מוצר של יצרן:
IRFHM792TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFHM792TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
מלאי:
12805292
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFHM792TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 10µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.3nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
251pF @ 25V
הספק - מקס'
2.3W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
מספר מוצר בסיסי
IRFHM792
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001554848
448-IRFHM792TRPBFTR
448-IRFHM792TRPBFDKR
IRFHM792TRPBF-DG
448-IRFHM792TRPBFCT
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI7922DN-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
42035
DiGi מספר חלק
SI7922DN-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.65
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SI7922DN-T1-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1485
DiGi מספר חלק
SI7922DN-T1-E3-DG
מחיר ליחידה
0.68
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFI4019H-117P
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
IRF5850
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
IRFHM8363TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
