מספר מוצר של יצרן:
IRFH7188TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFH7188TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 105A (Tc) 3.8W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
מלאי:
12803765
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFH7188TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
FASTIRFET™, HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Ta), 105A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2116 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 132W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRFH7188TRPBFCT
IRFH7188TRPBF-DG
IRFH7188TRPBFDKR
SP001556442
IRFH7188TRPBFTR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSC060N10NS3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
12802
DiGi מספר חלק
BSC060N10NS3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.17
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
AON6282
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
AON6282-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
IRF3805S-7PPBF
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
IPT059N15N3ATMA1
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF