מספר מוצר של יצרן:
IRFH5215TR2PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFH5215TR2PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 27A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
מלאי:
12804351
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFH5215TR2PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
58mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 50 V
תכונת FET
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-VQFN Exposed Pad
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IRFH5215TR2PBFDKR
SP001565794
IRFH5215TR2PBFCT
IRFH5215TR2PBF-DG
IRFH5215TR2PBFTR
חבילה סטנדרטית
400
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD60R280P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IPD95R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
IRFB4233PBF
MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
