בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
IRFH5020TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFH5020TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
7900 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805842
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFH5020TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.1A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
54 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2290 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IRFH5020
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
IRFH5020PBF
גיליונות נתונים
IRFH5020TRPBF
גיליון נתונים של HTML
IRFH5020TRPBF-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
IRFH5020TRPBFDKR
IRFH5020TRPBFTR
IRFH5020TRPBFCT
IRFH5020TRPBF-DG
SP001575478
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPD08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
IRF7805A
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SPB80N03S2L-06
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3