מספר מוצר של יצרן:
IRFH4210DTRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFH4210DTRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 44A PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 44A (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
מלאי:
1 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805229
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFH4210DTRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Cut Tape (CT)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
44A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
77 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4812 pF @ 13 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.5W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IRFH4210
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFH4210DTRPBF-448
SP001575718
IRFH4210DTRPBFDKR
IRFH4210DTRPBFCT
IRFH4210DTRPBFTR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP90R1K2C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
IRF7416QTRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
IRF7603TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8