מספר מוצר של יצרן:
IRFB4115PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFB4115PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 104A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12165 יחידות חדשות מק originales במלאי
12822722
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFB4115PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
104A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5270 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
380W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB4115
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001565902
448-IRFB4115PBF
IRFB4115PBF-DG
64-0099PBF-DG
64-0099PBF
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BUK6208-40C,118
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
PHP21N06T,127
MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB
IPW80R360P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
