מספר מוצר של יצרן:
IRF9Z34NSTRLPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
תיאור מפורט:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
2148 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804859
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF9Z34NSTRLPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
620 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRF9Z34
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF9Z34NSTRLPBFCT
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
IRF9Z34NSTRLPBFTR
SP001554544
IRF9Z34NSTRLPBFDKR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFI7536GPBF
MOSFET N-CH 60V 86A TO220
IPP60R520C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
IRF7450
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
