מספר מוצר של יצרן:
IRF9Z24NSPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF9Z24NSPBF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
תיאור מפורט:
P-Channel 55 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12806799
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF9Z24NSPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
175mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001551706
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQB22P10TM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FQB22P10TM-DG
מחיר ליחידה
0.79
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF9Z24STRRPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRF9Z24STRRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.86
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF9Z24STRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRF9Z24STRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF9Z24SPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
3763
DiGi מספר חלק
IRF9Z24SPBF-DG
מחיר ליחידה
0.73
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7495PBF
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
IRFH7107TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
SPP11N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220