מספר מוצר של יצרן:

IRF9395MTR1PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF9395MTR1PBF-DG

תיאור:

MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC

תיאור מפורט:

Mosfet Array 30V 14A 2.1W Surface Mount DIRECTFET™ MC

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

13064096

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF9395MTR1PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

יצרן

Infineon Technologies

סדרה

HEXFET®

אריזה

Tape & Reel (TR)

מצב חלק

Obsolete

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 P-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

14A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.4V @ 50µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

64nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3241pF @ 15V

הספק - מקס'

2.1W

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MC

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ MC

מספר מוצר בסיסי

IRF9395

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRF9395M(TR)PBF

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF9395MTR1PBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IRF9395MTR1PBF-ND

SP001563804

IRF9395MTR1PBFTR

IRF9395MTR1PBFCT

IRF9395MTR1PBFDKR

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRF7313PBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO

infineon-technologies

IRF7314PBF

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO

infineon-technologies

IRFHM792TR2PBF

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

nxp-semiconductors

PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON