מספר מוצר של יצרן:

IRF9388TRPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF9388TRPBF-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 30V 12A 8SO

תיאור מפורט:

P-Channel 30 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

מלאי:

37100 יחידות חדשות מק originales במלאי

12803353

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF9388TRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

12A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 20V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

8.5mOhm @ 12A, 20V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.4V @ 25µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

52 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±25V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1680 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SO

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

מספר מוצר בסיסי

IRF9388

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF9388TRPBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IRF9388TRPBFCT

IRF9388TRPBFDKR

IRF9388TRPBFTR

SP001570652

חבילה סטנדרטית

4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

IPB60R120C7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3

infineon-technologies

IRF6607

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFH5303TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN

infineon-technologies

IPP60R120C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3