מספר מוצר של יצרן:
IRF8113GTRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF8113GTRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
מלאי:
12808446
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF8113GTRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2910 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF8113GTRPBFTR
SP001575462
IRF8113GTRPBFCT
IRF8113GTRPBFDKR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI4634DY-T1-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
4811
DiGi מספר חלק
SI4634DY-T1-E3-DG
מחיר ליחידה
0.65
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDS8870
יצרן
onsemi
כמות זמינה
2621
DiGi מספר חלק
FDS8870-DG
מחיר ליחידה
0.66
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF8113TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1665
DiGi מספר חלק
IRF8113TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.27
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SI4634DY-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SI4634DY-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP180N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
SPB21N10 G
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
CPC3730C
MOSFET N-CH 350V SOT89
