מספר מוצר של יצרן:

IRF7853TRPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF7853TRPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

מלאי:

11350 יחידות חדשות מק originales במלאי

12806591

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF7853TRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8.3A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

18mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.9V @ 100µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

39 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1640 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SO

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

מספר מוצר בסיסי

IRF7853

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF7853TRPBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IRF7853TRPBFDKR

SP001554438

IRF7853TRPBF-DG

IRF7853TRPBFCT

IRF7853TRPBFTR

חבילה סטנדרטית

4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRL7833STRRPBF

MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK

infineon-technologies

SPN01N60C3

MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4

infineon-technologies

IRLR2905CPBF

MOSFET N-CH 55V 36A DPAK

infineon-technologies

IRLSL3034PBF

MOSFET N-CH 40V 195A TO262