מספר מוצר של יצרן:

IRF7805ZTRPBF-1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF7805ZTRPBF-1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12939629

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF7805ZTRPBF-1 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

16A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

6.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.25V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

27 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2080 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOIC

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

IRF7805ZTRPBF-1

גיליון נתונים של HTML

IRF7805ZTRPBF-1-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SP001554390

448-IRF7805ZTRPBF-1TR

חבילה סטנדרטית

4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

microchip-technology

APT34F60S/TR

MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ80S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK

microchip-technology

MSC130SM120JCU3

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

microchip-technology

MSC40SM120JCU3

SICFET N-CH 1.2KV 55A SOT227