IRF7759L2TRPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRF7759L2TRPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF7759L2TRPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8

מלאי:

12814078
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF7759L2TRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Ta), 375A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.3mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
300 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12222 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DirectFET™ Isometric L8
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric L8
מספר מוצר בסיסי
IRF7759

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001563710
IRF7759L2TRPBFCT
IRF7759L2TRPBFDKR
IRF7759L2TRPBFTR
IRF7759L2TRPBF-DG
חבילה סטנדרטית
4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRF7456TRPBF

MOSFET N-CH 20V 16A 8SO

infineon-technologies

IRLS3034PBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRFZ48NPBF

MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB

vishay-siliconix

VQ1004P-2

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205