מספר מוצר של יצרן:
IRF7757TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7757TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12816366
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7757TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.8A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1340pF @ 15V
הספק - מקס'
1.2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
מספר מוצר בסיסי
IRF7757
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001566434
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CSD83325L
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
IRF7319PBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
VQ2001P-2
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
