מספר מוצר של יצרן:
IRF7701
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7701-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 12 V 10A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12803522
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7701 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5050 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7463TR
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPDD60R102G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
IPB160N04S203ATMA4
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
