מספר מוצר של יצרן:
IRF7450PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7450PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
מלאי:
12805381
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7450PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
940 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001559868
חבילה סטנדרטית
95
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRL3716LPBF
MOSFET N-CH 20V 180A TO262
IPD33CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
IRF7809PBF
MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO
