מספר מוצר של יצרן:
IRF7422D2PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7422D2PBF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
מלאי:
12806633
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7422D2PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
FETKY™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
700mV @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
610 pF @ 15 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001577350
חבילה סטנדרטית
95
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP034N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
SPD02N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3
IRLMS2002TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
