מספר מוצר של יצרן:
IRF7343TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7343TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
מלאי:
18654 יחידות חדשות מק originales במלאי
12823713
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7343TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.7A, 3.4A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
740pF @ 25V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
IRF734
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001565516
IRF7343PBFCT
IRF7343PBFTR
*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFDKR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
GWM180-004X2-SLSAM
MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
MCCD2005-TP
MOSFET 2N-CH 20V 8A 6DFN
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363