מספר מוצר של יצרן:
IRF7101PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7101PBF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
מלאי:
12804173
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7101PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
320pF @ 15V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
IRF71
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001559728
חבילה סטנדרטית
95
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPG20N04S408AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IRF7507TR
MOSFET N/P-CH 20V MICRO8
IRF3575DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN