מספר מוצר של יצרן:
IRF6785MTRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6785MTRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
מלאי:
9600 יחידות חדשות מק originales במלאי
12822929
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6785MTRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ MZ
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MZ
מספר מוצר בסיסי
IRF6785
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF6785MTRPBFTR
IRF6785MTRPBF-DG
IRF6785MTRPBFCT
2156-IRF6785MTRPBF
SP001562032
IRF6785MTRPBFDKR
IFEINFIRF6785MTRPBF
חבילה סטנדרטית
4,800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF8721GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
BUK7524-55,127
MOSFET N-CH 55V 45A TO220AB
IPS09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
