IRF6665TR1PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF6665TR1PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6665TR1PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12806664

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6665TR1PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.2A (Ta), 19A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

62mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

13 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

530 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ SH

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric SH

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6665TR1PBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SP001564530

IRF6665TR1PBFCT

IRF6665TR1PBFDKR

IRF6665TR1PBFTR

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

microchip-technology

VN2460N8-G

MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA

infineon-technologies

SPP11N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

infineon-technologies

SPD07N60S5

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

infineon-technologies

IRLR7843TR

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK