IRF6655TR1PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF6655TR1PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6655TR1PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12810605

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6655TR1PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.2A (Ta), 19A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

62mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.8V @ 25µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

11.7 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

530 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ SH

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric SH

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6655TR1PBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SP001576858

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRFR3103TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

microchip-technology

TP2640N3-G

MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3

microchip-technology

TP2640LG-G

MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC

infineon-technologies

IRFR13N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK