מספר מוצר של יצרן:
IRF6636TR1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6636TR1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
מלאי:
12802651
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6636TR1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Ta), 81A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.45V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2420 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ ST
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric ST
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF6636TR1CT
IRF6636TR1TR
SP001532396
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EPC2034
GANFET N-CH 200V 48A DIE
IPB180N04S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPP21N03L G
MOSFET N-CH TO-220
