IRF6633TR1PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF6633TR1PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6633TR1PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 20 V 16A (Ta), 59A (Tc) 2.3W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12805151

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6633TR1PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

16A (Ta), 59A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5.6mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

17 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1250 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.3W (Ta), 89W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ MP

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MP

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6633TR1PBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SP001526810

IRF6633TR1PBFCT

IRF6633TR1PBFDKR

IRF6633TR1PBFTR

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRFI1310NPBF

MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP

infineon-technologies

IRFR3707ZTRPBF

MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

IRF7494PBF

MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO

infineon-technologies

IPP072N10N3GHKSA1

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3