IRF6628TR1PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF6628TR1PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6628TR1PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 25 V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12805943

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6628TR1PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

25 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

27A (Ta), 160A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.5mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.35V @ 100µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

47 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3770 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.8W (Ta), 96W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ MX

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MX

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6628TR1PBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IRF6628TR1PBFCT

IRF6628TR1PBFDKR

IRF6628TR1PBFTR

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRLTS6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP

infineon-technologies

IPP80N06S2L-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRLR2705TRL

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

infineon-technologies

IRL40T209ATMA1

MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF