מספר מוצר של יצרן:
IRF6622TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6622TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 15A (Ta), 59A (Tc) 2.2W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
מלאי:
12804902
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6622TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15A (Ta), 59A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.35V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1450 pF @ 13 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.2W (Ta), 34W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ SQ
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric SQ
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF6622TRPBFDKR
IRF6622TRPBFCT
IRF6622TRPBF-DG
IRF6622TRPBFTR
SP001530296
חבילה סטנדרטית
4,800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP100N06S205AKSA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IRF7421D1
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
IRFZ46ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
